特許
J-GLOBAL ID：200903036926716379
超小角X線散乱測定の測定結果表示方法、及び超小角X線散乱測定に基づく配向度の解析方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
横川 邦明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-187832
公開番号（公開出願番号）：特開2008-014862
出願日： 2006年07月07日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：
【課題】実験室レベルのX線小角測定装置を用いて配向性試料の結晶性を簡単且つ正確に評価できる超小角X線散乱測定に基づく配向度の解析方法を提供する。【解決手段】水平方向に関しては微細な焦点サイズであり垂直方向に関しては無限高さ焦点サイズであるX線を配向性試料に照射して、その試料の面内角度φを変えながら超小角X線散乱測定を行って実測散乱線強度Iobsを実測によって求め、σqの項及びσμの項を含んだ散乱線強度のモデル式にσq及びσμの値を代入して計算散乱線強度Icalを求め、IobsとIcalとを比較することによってσq及びσμの真値を求める解析方法である。σqは散乱角qmax時(2θ最大時)のIobsから第1次近似し、σμは散乱角q=0時(2θ=0°時)のIobsから第1次近似する。さらに、φq極座標表示をすることによって、結晶の対称性や複数の結晶が含まれるか否かが解析できる。【選択図】図19
請求項（抜粋）：
X線の進行方向に関して試料の上流側に第1結晶を設け、前記試料の下流側に第2結晶を設け、該第2結晶の下流側にX線検出器を設け、
前記第1結晶でのX線回折によりX線を1つの方向に関してスメアリングを生じない程度まで細く平行化し、
前記X線の進行方向に直交する面内における前記試料の面内(φ)角度位置を変えると共に、前記X線の進行方向に直交する軸線である2θ軸線を中心とする前記第2結晶の角度(2θ)位置を変えながら、
前記1つの方向に関して細く平行化された前記X線を前記試料へ照射し、
そのX線照射に応じて前記試料から出射した散乱線を前記第2結晶で分光した後に前記X線検出器によって受光し、
前記X線検出器の出力に基づいて散乱線強度(I)を求め、
前記第2結晶の角度(2θ)位置を径方向にとり、前記試料の面内(φ)角度位置を円周方向にとった極座標上に、測定結果のデータであるI(φ、2θ)のデータをプロットすること、又は2θをqに置き換えてI(φ、q)をプロットすること、
を特徴とする超小角X線散乱測定の測定結果表示方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
2G001AA01
, 2G001BA14
, 2G001CA01
, 2G001EA01
, 2G001EA09
, 2G001JA01
, 2G001JA05
, 2G001LA05
