特許
J-GLOBAL ID：200903036927314100

研磨装置及び研磨終点検出方法ならびに半導体装置の製造方法

発明者：
本田 真治

本田 真治 について

, 
池ノ内 勝行

池ノ内 勝行 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (2件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-160384
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340679
出願日： 2004年05月31日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】 CMP研磨プロセスにおける、光の干渉を利用した終点検出に関して、基板に形成された膜の研磨量が少ない場合、目標膜厚が薄い場合でも終点検出が可能な研磨装置及び終点検出方法を提供する。【解決手段】 ウエハ3上に形成された膜の研磨後の狙い膜厚に応じて、レーザー干渉計12を構成するコリメーター13及び検出器14の位置角度を変化させて、レーザービーム16のウエハ3に対する入射角及び検出器14が反射光を検出する検出角を干渉光信号のピークとなるように設定して、研磨の終点検出を可能にすることにより、膜の研磨量が小さい場合であっても研磨プロセス時に所望の膜厚で終点検出できることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体装置の製造に際して半導体基板上の膜を所望の膜厚に研磨する研磨装置であって、 前記半導体基板を研磨する研磨手段と、 前記基板に単一波長のレーザービームを任意の角度で照射可能であるコリメーターと、 前記レーザービームの反射干渉光強度を入射角度に対応した検出角度で検出する検出器と を有し、前記所望の膜厚になったときの前記反射干渉光強度がピークになるように前記コリメーターの照射角度を調整し、そのときの前記反射干渉光強度のピークを検出して前記所望の膜厚まで研磨されたことを確認することを特徴とする研磨装置。
IPC (3件)：
H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B49/12
FI (3件)：
H01L21/304 622S ,  B24B37/04 K ,  B24B49/12
Fターム (13件)：
3C034AA13 ,  3C034AA17 ,  3C034BB93 ,  3C034CA02 ,  3C034CA22 ,  3C034CB13 ,  3C034DD10 ,  3C034DD20 ,  3C058AA07 ,  3C058AC02 ,  3C058BA01 ,  3C058BA09 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM