特許
J-GLOBAL ID：200903036971073136
半導体装置の保護素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-172414
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070246
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、電流密集化現像を防止して素子の熱的破壊を防ぐことのできる半導体装置の保護素子を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明の半導体装置の保護素子は、ウェル、ソース及びドレイン領域を有している半導体基板と、前記半導体基板の上に形成されている複数の平行なゲート枝と、前記複数のゲート枝の間に形成され、前記ドレイン領域と接続している複数のドレイン枝と、前記ドレイン枝を連結する複数の抵抗と、前記複数のゲート枝の間に形成されて前記ソース領域及び前記ウェルと接続されているソース/ウェルパターンとからなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ウェル、ソース及びドレイン領域を有している半導体基板と、前記半導体基板の上に形成されている複数の平行なゲート枝と、前記複数のゲート枝の間に形成され、前記ドレイン領域と接続している複数のドレイン枝と、前記ドレイン枝を連結する複数の抵抗と、前記複数のゲート枝の間に形成されて前記ソース領域及び前記ウェルと接続されているソース/ウェルパターンとからなることを特徴とする半導体装置の保護素子。
IPC (3件)：
H01L 27/06
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/06 311 A
, H01L 27/04 H
, H01L 27/04 A
