特許

J-GLOBAL ID：200903036992546034

CVD装置

発明者： 大塚 正志 ,  新名 朋次
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-296659
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153684
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】 装置の停止時間を短縮して不要な薄膜を除去することにより、装置稼働率を改善して処理能力を向上させるCVD装置を提供する。【構成】 反応室2内に薄膜除去機構6を配置し、薄膜の累積膜厚がある一定の値になったころを見計らって、この薄膜除去機構6を、反応終了後にウエハ保持部3が元の位置に戻る動作と連動して動作させることにより、反応時反応ガス供給部5のガスヘッド17の表面に堆積した不要な薄膜を除去する。不要な薄膜の除去はウエハ保持部3の移動する時間を利用して行っているので、装置の動作を停止する必要はない。

請求項（抜粋）：

反応室内の異なる位置にウエハ保持部及び反応ガス供給部を配置し、ウエハを保持したウエハ保持部を反応ガス供給部の上方に移動して、この反応ガス供給部からウエハに反応ガスを吹き付けることによりウエハに所望の薄膜を堆積させるCVD装置において、前記反応室内に反応時前記反応ガス供給部に堆積した不要な薄膜を除去する薄膜除去機構を配置し、この薄膜除去機構を反応終了後に前記ウエハ保持部が元の位置に戻る動作と連動して動作させることを特徴とするCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体製造装置及びその使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-022359   出願人：株式会社半導体プロセス研究所, アルキヤンテック株式会社, キヤノン販売株式会社
• 半導体装置の製造装置及びその使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-320504   出願人：株式会社半導体プロセス研究所, アルキヤンテック株式会社, キヤノン販売株式会社
• 特開昭61-050327
  
• 特開昭61-050327