特許
J-GLOBAL ID：200903037002505734

ドープ半導体単結晶及びIII-V族半導体単結晶の製造方法

発明者：
クレツァー・ウルリッヒ

クレツァー・ウルリッヒ について

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アイヒラー・シュテファン

アイヒラー・シュテファン について

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ブンガー・トーマス

ブンガー・トーマス について


出願人/特許権者：
フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング

フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング について


代理人 (1件)： 特許業務法人コスモス特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-182311
公開番号（公開出願番号）：特開2007-051054
出願日： 2006年06月30日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】ドーパントがドーピングされる半導体単結晶の製造方法、特に、製造される半導体単結晶と同一の半導体材料の種結晶を使用し、坩堝内で半導体溶融体を凝固させて製造する製造方法を提供する。【解決手段】半導体単結晶11における所望の導電率を調整するために使用されるドーパント7は、種結晶5上に形成される半導体単結晶11の成長が開始した後、又は坩堝1の一部又は完全に坩堝の円錐な部分3又は先細部において半導体単結晶11の凝固が終了した後、半導体溶融体9に添加される。又は、ドーパント7の一部が、事前に坩堝1に添加され、その後残りが適宜半導体溶融体9に添加される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ドーパントがドーピングされる半導体単結晶を、製造される半導体単結晶と同一の半導体材料の種結晶を使用し、坩堝内で半導体溶融体を凝固させて製造する製造方法において、 製造される半導体単結晶における所望の導電率を調整するために使用される前記ドーパントは、 (a)種結晶上に形成される前記半導体単結晶の成長が開始した後、又は (b)坩堝の主部と、好ましくは完全に坩堝の円錐部又は先細部とにおいて半導体単結晶の凝固が終了した後に、前記半導体溶融体に添加され、 前記ドーパントの添加が少なくとも2ステップで実施され、 第1のステップでは、事前に、すなわち(a)もしくは(b)に先立って、前記ドーパントの一部が添加され、 第2のステップでは、(a)もしくは(b)に従って、前記ドーパントの残りが前記半導体溶融体に添加されることを特徴とするドープ半導体単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/42 ,  C30B 27/00 ,  C30B 11/06
FI (3件)：
C30B29/42 ,  C30B27/00 ,  C30B11/06
Fターム (14件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077AB09 ,  4G077BE46 ,  4G077CD02 ,  4G077CD04 ,  4G077EB01 ,  4G077EB03 ,  4G077EJ08 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077MB04 ,  4G077MB08
引用特許：
出願人引用 (7件)
  • JP 2000-109400A
  • JP 2004-217508A
  • JP 10-279398A
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審査官引用 (1件)
引用文献：
審査官引用 (1件)

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