特許
J-GLOBAL ID：200903098757395938
ガリウム砒素単結晶およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-096799
公開番号（公開出願番号）：特開平10-279398
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月20日
要約：
【要約】【課題】 VB法やVGF法等の縦型ボート法を用いてSiドープ型GaAs単結晶を製造する際に、SiをGaAs単結晶中に再現性良くドープでき、またSi濃度が均一であって単結晶の歩留りが高いSiドープn型単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】 るつぼ収納容器3内に設けたるつぼ4に種結晶5とGaAs原料を装入し、その上にSi酸化物を予めドープした封止材(B2 O3 )8を置き、ヒーター17で加熱して原料を溶融し、温度制御により原料融液7からGaAs結晶6を晶出育成させる際、上記封止剤よりもSi濃度が低い第2の封止剤9を結晶成長時の適正な時期にるつぼ内に流入させ、上部ロッド12を攪拌板10で攪拌することにより、結晶中のキャリア濃度を制御し、歩留りが高いGaAs結晶の製法が提供される。なおヒーター17の外側は断熱材16で囲まれ、これらは気密容器11内に収納され、るつぼ収納容器3は気密シール2を通して下部ロッド1により支持され、上下動および回転可能である。
請求項（抜粋）：
キャリア濃度が0.1×1018cm-3〜3×1018cm-3であることを特徴とするSiドープガリウム砒素単結晶。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/42
, C30B 11/00 Z
