特許
J-GLOBAL ID：200903037011404002

磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ装置

発明者：
佐藤 雅重

佐藤 雅重 について

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菊地 英幸

菊地 英幸 について

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小林 和雄

小林 和雄 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-341547
公開番号（公開出願番号）：特開2005-109200
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2005年04月21日
要約：
【課題】 磁気抵抗効果素子、磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ装置に関し、素子の微細化に伴うスイッチング磁界の増大の問題を解消する。【解決手段】 第1の磁性体1、第1の非磁性体2、第2の磁性体3、第2の非磁性体4、及び、第3の磁性体5を順次積層した磁性体/非磁性体/磁性体/非磁性体/磁性体の構造を有するとともに、第1の磁性体1、第2の磁性体3、及び、第3の磁性体5に夫々に配線6〜8を接続する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の磁性体、第1の非磁性体、第2の磁性体、第2の非磁性体、及び、第3の磁性体を順次積層した磁性体/非磁性体/磁性体/非磁性体/磁性体の構造を有するとともに、前記第1の磁性体、第2の磁性体、及び、第3の磁性体に夫々に配線を接続したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
H01L27/105 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01L43/08 Z
Fターム (16件)：
5F083FZ10 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR04 ,  5F083PR09 ,  5F083PR21 ,  5F083PR40
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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