特許
J-GLOBAL ID:200903037034837763

処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 亀谷 美明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-190749
公開番号(公開出願番号):特開2001-017852
出願日: 1999年07月05日
公開日(公表日): 2001年01月23日
要約:
【要約】【課題】 処理装置の拡大化やコスト面に影響を与えることなく,処理ガスの被処理体への供給を自在に制御することの可能な処理装置を提供する。【解決手段】 複数のガス供給孔を備えたガス供給装置により処理ガスを処理室10内に供給してウェハを処理する処理装置において,ガス供給装置100は遮蔽板130に形成された隔壁130aにより区画される2のガス拡散室150,160を備え,第1ガス拡散室150に導入された処理ガスが隔壁130aに形成された孔130bを介して第2ガス拡散室160に導入されることにより,ガス拡散室間の差圧が形成される。この差圧を調整することにより,処理ガスや被処理体の種類に応じた柔軟な処理ガスの制御が可能である。また,従来の装置構成に遮蔽板を付加することのみで実現できるため,装置構成の拡大化や製造コストの増大を招くことがない。
請求項(抜粋):
複数のガス供給孔を備えたガス供給装置により処理ガスを処理室内に供給して被処理体を処理する処理装置において:前記ガス供給装置は1または2以上の遮蔽板により区画される複数のガス拡散室を備え,少なくとも2の前記ガス拡散室間には差圧が形成され,前記各ガス拡散室にはそれぞれ前記ガス供給孔が形成されていることを特徴とする,処理装置。
IPC (4件):
B01J 4/02 ,  B01J 19/00 311 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/3065
FI (4件):
B01J 4/02 A ,  B01J 19/00 311 Z ,  B01J 19/08 F ,  H01L 21/302 C
Fターム (19件):
4G068AA02 ,  4G068AA06 ,  4G068AB01 ,  4G068AC04 ,  4G068AC05 ,  4G068AF01 ,  4G075AA22 ,  4G075AA24 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA65 ,  4G075DA02 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA06 ,  5F004BB13 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02
引用特許:
審査官引用 (6件)
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