加熱処理装置および加熱処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-018303
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261558
出願日： 1998年01月16日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：

【要約】【課題】超サブミクロン領域の線幅の微細な回路パターンを実現することができ、特に化学増幅型レジストを用いた場合であっても確実に微細パターンを形成することができる加熱処理装置および加熱処理方法を提供すること。【解決手段】露光パターンが形成された化学増幅型レジストからなるレジスト膜が形成された半導体ウエハWが筐体40に収容される。この筐体内には半導体ウエハWを加熱する熱板41が配置される。筐体40内には加湿機構50により加湿された気体が供給される。そして加湿機構50により加湿された気体を供給しながらレジストが塗布された半導体ウエハWを加熱処理する。この際に、気体中の水分がレジスト膜に作用し、露光部分または非露光部分がアルカリ可溶性となる。

請求項（抜粋）：

パターン露光されたレジスト膜を有する被処理体を収容する筐体と、この筐体内の被処理体を加熱する加熱部材と、前記筐体内に水分を含有する気体を供給する供給手段とを具備し、前記気体中の水分を前記レジスト膜に作用させることを特徴とする加熱処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/38 511

FI (2件)：

H01L 21/30 567 , G03F 7/38 511

引用特許：

審査官引用 (8件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-235134 出願人：株式会社東芝
特開平4-172461
特開昭52-058374

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