特許
J-GLOBAL ID：200903059468062453
パターン形成方法およびパターン形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-132013
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320930
出願日： 1996年05月27日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 化学増幅型ポジレジストを用いたパターン形成において、露光後の熱処理時の環境が適切にして、パターンの解像度および形状を向上させる。【解決手段】 露光後の熱処理時に、温度23°C、湿度45〜55%の空気を送りながら、半導体ウエハ1をホットプレートで加熱する。
請求項（抜粋）：
化学増幅型ポジレジスト膜が形成された半導体ウエハに対して選択的に露光を行う第1の工程と、上記露光された半導体ウエハを熱処理する第2の工程と、上記熱処理された半導体ウエハを現像処理する第3の工程とを含むパターン形成方法において、温度23°C、湿度45〜55%の空気と等価な水分を含む気体を供給した雰囲気で、上記第2の工程を実施することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/38 511
H01L 21/30 566
, G03F 7/38 511
, H01L 21/30 567
