特許

J-GLOBAL ID：200903037047165128

高耐圧MOSトランジスタ装置

発明者： 黒田 俊一 ,  福田 保裕
出願人/特許権者： 沖エンジニアリング株式会社
代理人 (2件)： 大垣 孝 ,  岡田 宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-302966
公開番号（公開出願番号）：特開2009-130099
出願日： 2007年11月22日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：

【課題】ドレイン配線の幅を従来よりも大きくして、ドレイン配線を導通可能な最大電流量を大きくすること。【解決手段】高耐圧MOSトランジスタ装置10は、基板102に設けられたPウエル領域103中に形成されており、20V以上のソース-ドレイン間耐圧を有している。そして、Pウエル領域中のソース104a,104b及びドレイン108の間の領域部分が、外部電界の影響を受けて導電型が反転するのを防止する導電性膜を備えている。この導電性膜は、ゲート電極120a,120bと連続的に帯状層12として一体形成されており、基板の表面を平面的に見たとき、帯状層は、ソース及びドレインの一方又は双方を囲んで設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板に設けられた一方の導電型のウエル領域中に形成された、20V以上のソース-ドレイン間耐圧を有する高耐圧MOSトランジスタ装置であって、 前記ウエル領域中のソース及びドレイン間の領域部分が、外部電界の影響を受けて導電型が他の導電型に反転するのを防止する導電性膜を備えており、 前記導電性膜は、ゲート電極と、該ゲート電極と連続的に形成された部分とを含み、全体的に帯状層として形成されており、及び 前記基板の表面を平面的に見たとき、該帯状層は、前記ソース及びドレインの一方又は双方を囲んで設けられている ことを特徴とする高耐圧MOSトランジスタ装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/06

FI (2件)：

H01L29/78 301X ,  H01L29/06 301G

Fターム (18件)：

5F140AA00 ,  5F140AA25 ,  5F140BD19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF42 ,  5F140BF44 ,  5F140BF51 ,  5F140BF54 ,  5F140BF58 ,  5F140BH02 ,  5F140BH43 ,  5F140BK25 ,  5F140CA01 ,  5F140CA04 ,  5F140CB01 ,  5F140CB07 ,  5F140CD09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-119135   出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
• CMOSトランジスター素子の方形型セル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-280936   出願人：華邦電子股ふん有限公司