特許

J-GLOBAL ID：200903037068328540

半導体薄膜の製造方法

発明者： 宮尾 正信 ,  佐道 泰造 ,  権丈 淳
出願人/特許権者： 株式会社産学連携機構九州
代理人 (1件)： 加藤 久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-002848
公開番号（公開出願番号）：特開2003-203864
出願日： 2002年01月09日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜やガラス等の非晶質材料上に高品質なSi半導体やヘテロ混晶半導体等の半導体素子を形成可能な半導体薄膜の製造方法の提供。【解決手段】 非晶質Si層5を触媒金属としてのNi6に直に接触させて熱処理により多結晶化させるシリサイド反応層とし、非晶質Si0.7Ge0.3層3を高品質な多結晶半導体を形成することを目的とする固相成長層とし、非晶質Ge層4をこれらのシリサイド反応層と固相成長層との間に介在してシリサイド反応層から固相成長層への触媒金属の拡散を阻止するとともにシリサイド反応層の熱的核成長を固相成長層へ転写する成長転写層として熱処理する。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上に形成した非晶質半導体薄膜上に触媒金属を付着して熱処理する半導体薄膜の製造方法において、前記非晶質半導体薄膜を、前記触媒金属に直に接触させて熱処理により多結晶化させるシリサイド反応層と、高品質な多結晶半導体を形成することを目的とする固相成長層と、前記シリサイド反応層と固相成長層との間に介在して前記シリサイド反応層から固相成長層への前記触媒金属の拡散を阻止するとともに前記シリサイド反応層の熱的核成長を前記固相成長層へ転写する成長転写層との3層以上として熱処理することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/78 627 G

Fターム (38件)：

2H092JA24 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092MA05 ,  2H092MA17 ,  2H092MA29 ,  2H092NA25 ,  5F052AA02 ,  5F052AA17 ,  5F052DA01 ,  5F052DA03 ,  5F052DB06 ,  5F052DB07 ,  5F052EA02 ,  5F052EA13 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052JA01 ,  5F110AA01 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110BB02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110PP01 ,  5F110PP13 ,  5F110PP22 ,  5F110PP23 ,  5F110PP31 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ14