特許

J-GLOBAL ID：200903037075133800

処理装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 古川 雅一 ,  進藤 春雄
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120208
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311940
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板のコンタクトホール、ビアホール内部のアッシング後のポリマーかすやバリアーメタル表面の酸化層を、化学的に活性なハロゲン系のガスや高価で素子にプラズマダメージを与えるプラズマ発生装置を使わずにクリーニングする方法及び装置を提供する。【解決手段】 水素ガス18を、300から600°Cに加熱された触媒金属に覆われた容器16の中を流して水素ラジカルに変え、更に自由電子を供給できる金属表面を持つ容器16の中を通すことによって水素負イオンに変える。この水素負イオンと水素ラジカルを真空容器10内のステージ11上に配置されたウエーハ12上に導くことにより、二次電子発生の少ない水素負イオンのアシストによって、水素ラジカルよりも高速で、かつ、素子にプラズマダメージを与えずにクリーニングできる。

請求項（抜粋）：

水素ラジカルを生成する水素ラジカル生成部と、該水素ラジカルを水素負イオンに転換する水素負イオン転換部と、被処理基板を収容する真空容器と、を有し、前記水素負イオンを導入して該被処理基板に接触させることを特徴とする処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 645

FI (4件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/304 645 Z ,  H01L 21/302 B

Fターム (20件)：

4M104DD23 ,  4M104DD79 ,  4M104GG16 ,  4M104HH20 ,  5F004AA06 ,  5F004AA09 ,  5F004AA14 ,  5F004BA19 ,  5F004BB12 ,  5F004CA02 ,  5F004DA24 ,  5F004EB01 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ96 ,  5F033QQ98 ,  5F033VV16 ,  5F033XX00

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-307225
  
• 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-152184   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-267428   出願人：株式会社東芝