特許
J-GLOBAL ID：200903037085365696
ヒューズおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-225795
公開番号（公開出願番号）：特開2001-052593
出願日： 1999年08月09日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 速断化傾向を回避しヒューズエレメントの密着性および製造性が向上するヒューズおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 ガラスクロス樹脂基板2の一面に、銅をスパッタリングして設けたスパッタ膜を有するポリイミドフィルムを熱圧着し、密着性の高いポリイミド樹脂層3を設ける。スパッタ膜を所定のヒューズパターンにエッチングして密着性の高い第1の金属膜5を形成する。第1の金属膜5の上面に、ニッケルめっきにて形成した第3の金属膜8を介して錫による電気めっきにて第2の金属膜6を設けて積層するヒューズエレメント7を構成する。ヒューズエレメント7の狭隘部を覆って保護層13を設ける。保護層13にて被覆していない両端部に、ヒューズエレメント7から裏面側に亘って断面コ字状に電極11,11を形成する。ポリイミド樹脂層3にて熱放散を防止して速断化を防止する。密着性が高く製造性を向上できる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、この絶縁基板の上面に設けられたポリイミド樹脂層と、このポリイミド樹脂層の上面にヒューズパターンを構成して設けられたヒューズエレメントと、このヒューズエレメントに電気的に接続され前記絶縁基板の裏面に亘って設けられた一対の電極とを具備したことを特徴とするヒューズ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
5G502AA01
, 5G502BA08
, 5G502BB01
, 5G502BB07
, 5G502BB08
, 5G502BB09
, 5G502BB13
, 5G502JJ01
