窒化ガリウム系発光装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉田研二 , 石田純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-126959
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311119
出願日： 2004年04月22日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】窒化ガリウム系発光装置において、発光強度の増大と発光スペクトルの狭帯化をはかる。【解決手段】窒化ガリウム系発光装置は、サファイア基板10上に低温SiNバッファ層12、低温GaN系バッファ層13、高温GaN系バッファ層14を下地層として形成し、その上にn型コンタクト層16、n型クラッド層18、発光層20、p型クラッド層22及びp型コンタクト層24を積層して構成される。低温GaN系バッファ層13と高温GaN系バッファ層14のトータル膜厚を10nm以上0.5μm以下とし、n型コンタクト層16を発光波長に対して透明となるバンドギャップに設定することで、光の吸収を抑制し、発光スペクトルの拡がりを抑制する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された低温バッファ層と高温バッファ層からなる窒化ガリウム系バッファ層と、前記窒化ガリウム系バッファ層上に形成された第1導電型コンタクト層と、前記第1導電型コンタクト層上に形成された第1導電型クラッド層と、前記第1導電型クラッド層上に形成された窒化ガリウム系発光層と、前記窒化ガリウム系発光層上に形成された第2導電型クラッド層と、前記第2導電型クラッド層上に形成された第2導電型コンタクト層と、を有する窒化ガリウム系発光装置であって、前記窒化ガリウム系バッファ層は、その厚さが10nm以上0.5μm以下であり、前記第1導電型コンタクト層及び前記第1導電型クラッド層は、前記窒化ガリウム系発光層からの発光波長に対して透明となるバンドギャップエネルギを有することを特徴とする窒化ガリウム系発光装置。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (11件)：

5F041AA04 , 5F041AA11 , 5F041CA05 , 5F041CA08 , 5F041CA34 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA76 , 5F041CA77 , 5F041CA83 , 5F041CA92

引用特許：

出願人引用 (1件)

窒化ガリウム系化合物半導体装置
公報種別：再公表公報出願番号：JP2003008365 出願人：ナイトライド・セミコンダクター株式会社

審査官引用 (4件)

窒化物半導体発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-010346 出願人：日亜化学工業株式会社
発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-224313 出願人：日亜化学工業株式会社
発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-384801 出願人：日本電信電話株式会社

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