特許

J-GLOBAL ID：200903037121144260

化合物半導体ヘテロ接合構造体

発明者： 宇田川 隆
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 柿沼 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-272840
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083816
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】結晶性に優れ、且つ水素原子の含有量が少なく、デバイス特性の変動を抑制できる炭素添加p形GaAs系結晶層を有する化合物半導体ヘテロ接合構造体を提供する。【解決手段】炭素含有p形GaAs系結晶層と、n形のIII-V族化合物半導体結晶層とからなるヘテロ接合構造において、炭素含有p形GaAs系結晶層が、20Kでのフォトルミネッセンス測定において、828nm〜845nmの範囲内に主たる発光ピークを有し、且つ、該結晶層中の水素原子濃度を炭素原子濃度の1/5以下とする。また、n形III-V族化合物半導体結晶層を、組成勾配を有する領域を含む構造、GaXIn1-XP(0≦X≦1)でヘテロ接合界面から反対方向に向けてガリウム組成比Xを減少させる領域を含む構造とする。

請求項（抜粋）：

炭素原子を含有するp形の砒化ガリウム系結晶層(以後、炭素含有p形GaAs系結晶層とする。)と、n形のIII-V族化合物半導体結晶層とからなるヘテロ(異種)接合構造を含む化合物半導体ヘテロ接合構造体であって、炭素含有p形GaAs系結晶層が、温度20ケルビン(K)におけるフォトルミネッセンスの測定で、828nm〜845nmの範囲内に主たる発光ピークを有し、且つ、該結晶層中の水素原子濃度が炭素原子濃度の1/5以下であることを特徴とする化合物半導体ヘテロ接合構造体。

IPC (5件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  C23C 16/30

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/205 ,  C23C 16/30 ,  H01L 29/72

Fターム (23件)：

4K030AA17 ,  4K030BA55 ,  4K030BA56 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030LA14 ,  5F003AZ01 ,  5F003AZ07 ,  5F003BF06 ,  5F003BM03 ,  5F003BP31 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045BB14 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-065347   出願人：株式会社東芝
• バイポーラトランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-302169   出願人：古河電気工業株式会社
• ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-248051   出願人：株式会社東芝