特許
J-GLOBAL ID：200903037128371130

セラミックス回路基板及びこれを用いたパワー半導体モジュール

発明者：
今村 寿之

今村 寿之 について

, 
加賀 洋一郎

加賀 洋一郎 について

, 
渡辺 純一

渡辺 純一 について


出願人/特許権者：
日立金属株式会社

日立金属株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-285873
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100640
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 熱応力、熱ひずみを軽減し、実装信頼性が高いセラミックス回路基板及びこれを用いたパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】 セラミックス基板の一方の主面に、Cu/Mo/CuあるいはCu/W/Cuの3層構造のクラッド材からなる放熱板と、他方の主面に対してはCuまたはCu合金からなる回路回路板が設けられている。ここで、回路回路板の厚さが、0.1〜2mm、放熱板の総厚さが2.0〜8mmとする。MoあるいはWの厚さが0.2〜4mmとする。また、回路板、セラミック基板、放熱板を貫通するボルト締め用穴部を備えて半導体パワーモジュールの取付けを容易にすることができる。また、放熱板の裏面部に冷却フィンを備えてセラミックス回路基板の熱抵抗を低減させることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
セラミックス基板の少なくとも一方の面に回路パターンを形成する回路回路板を、他方の面に放熱板を接合してなり、前記放熱板は、前記回路回路板に用いる金属板よりも低熱膨張であり、その構成がCu又はCu合金とMo、W等の低熱膨張材を組み合わせて積層構造にしたクラッド金属板であることを特徴とするセラミックス回路基板。
IPC (4件)：
H05K 1/02 ,  H05K 1/03 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/36
FI (4件)：
H05K1/02 F ,  H05K1/03 610E ,  H01L23/12 J ,  H01L23/36 C
Fターム (13件)：
5E338AA01 ,  5E338AA18 ,  5E338BB02 ,  5E338BB13 ,  5E338BB63 ,  5E338BB80 ,  5E338CD23 ,  5E338EE02 ,  5E338EE28 ,  5F036BB08 ,  5F036BC06 ,  5F036BD01 ,  5F036BD13
引用特許：
出願人引用 (5件)
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