特許
J-GLOBAL ID：200903037135634804

半導体素子及びその製造方法

発明者：
笹原 邦夫

笹原 邦夫 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (2件)： 木村 満 ,  毛受 隆典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-060604
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273647
出願日： 2003年03月06日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】絶縁破壊が良好に防止された、信頼性の高い半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】ゲートボンディングパッド26下の比較的薄い第1の絶縁膜30上に設けられた第1の多結晶シリコン膜31は、第1の絶縁膜30に印加される応力を緩衝する応力緩衝層として機能する。比較的厚い第2の絶縁膜32上に設けられた第2の多結晶シリコン膜33は、コレクタ電極20とゲート電極22とに電気的に接続され、コレクタ・ゲート間の保護ダイオードとして機能する。第1の多結晶シリコン膜31と第2の多結晶シリコン膜33とは、互いに離間し、その境界には、第1の絶縁膜30と第2の絶縁膜32との境界(段差部分)が露出している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
所定の機能素子が形成された半導体基体の表面領域に島状に形成された拡散領域と、 前記半導体基体の表面上に、前記拡散領域の露出面の中央部分を覆うように設けられた第1の絶縁膜と、 前記半導体基体の表面上に、前記拡散領域の露出面の周縁を覆うように前記第1の絶縁膜と実質的に連続して設けられ、前記第1の絶縁膜よりも厚い第2の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に設けられた第1の多結晶シリコン膜と、 前記第2の絶縁膜上に、前記第1の多結晶シリコン膜より所定間隔離間して隣接するように設けられた第2の多結晶シリコン膜と、 前記機能素子の一端に接続され、平面的に見て前記第1の多結晶シリコン膜と、前記第2の多結晶シリコン膜の少なくとも前記第1の多結晶シリコン膜と隣接する部分およびその近傍と、重なるように設けられたボンディングパッドと、 を備える半導体素子。
IPC (2件)：
H01L29/78 ,  H01L21/60
FI (5件)：
H01L29/78 657B ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 655E ,  H01L29/78 655F ,  H01L21/60 301N
Fターム (2件)：
5F044EE02 ,  5F044EE21
引用特許：
出願人引用 (5件)
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