窒化物系半導体素子およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-074762
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267692
出願日： 2000年03月16日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】結晶欠陥が低減されかつ歩留りで製造可能な窒化物系半導体素子およびその製造方法を提供することである。【解決手段】半導体レーザ素子500においては、サファイア基板1上にAlGaNバッファ層2、アンドープGaN層3が形成され、さらにアンドープGaN層3上にストライプ状の酸化膜マスク50が形成されている。酸化膜マスク50上およびアンドープGaN層3上において、アンドープGaN層4が選択横方向成長する。さらに、アンドープGaN層4上にMgドープGaN層5が形成され、結晶成長表面が平坦化される。このMgドープGaN層5上に半導体レーザ素子構造100が形成されている。

請求項（抜粋）：

表面に凹凸パターンを有する下地と、前記下地上に形成されかつマグネシウムを含む第1のIII 族窒化物系半導体層と、前記第1のIII 族窒化物系半導体層上に形成されかつ素子領域を含む第2のIII 族窒化物系半導体層とを備えたことを特徴とする窒化物系半導体素子。

IPC (4件)：

H01S 5/343 , C30B 29/40 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 5/343 , C30B 29/40 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Fターム (41件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077EF03 , 4G077EF04 , 4G077HA02 , 5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041CA05 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA67 , 5F041CB11 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045AF12 , 5F045BB01 , 5F045BB12 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DB02 , 5F073AA13 , 5F073AA55 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB19 , 5F073DA05 , 5F073DA25

引用特許：

審査官引用 (2件)

窒化物半導体素子の製造方法及びかかる方法により製造された素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-164169 出願人：パイオニア株式会社
窒化ガリウム系半導体素子及び窒化ガリウム系半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-025003 出願人：株式会社東芝

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