特許
J-GLOBAL ID：200903072835860775
窒化物半導体素子の製造方法及びかかる方法により製造された素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-164169
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353821
出願日： 1999年06月10日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：
【要約】【課題】 III族窒化物半導体素子の特性を左右する貫通転位を低減せしめ、サファイア基板に積層されるGaN層に生じるピットを抑制する。【解決手段】 MOCVDにより、低温バッファ層2が形成されたサファイア基板1に所定膜厚のアンドープのGaN層3を成長させる。次に、その上に、マグネシウムをドーパントとして含むGaN層4をGaN層3よりも低圧で積層させ、GaN層4によって、GaN層3に生じたピットを埋めてGaN層4の表面を平坦にする。
請求項（抜粋）：
有機金属化学気相成長法によって、III族窒化物半導体(InxGa(1-x-y)AlyN(0≦x≦1, 0≦y≦1)を平坦なサファイア基板面上に順次積層して得られる窒化物半導体素子の製造方法であって、サファイア基板上に低温バッファ層を形成する工程と、ドーパント成分を含まない第1の混合ガスを供給して前記低温バッファ層の上に第1の窒化ガリウム層を形成する第1の成膜工程と、ドーパント成分を含む第2の混合ガスを供給して前記第1の窒化ガリウム層の表面にある空隙を埋めて平坦化しつつ前記第1の窒化ガリウム層の上にドーパントを含む第2の窒化ガリウム層を形成する第2の成膜工程と、を含むことを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01S 3/18 673
5F041AA41
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA47
, 5F041CA65
, 5F041CB01
, 5F073CA02
, 5F073CA17
, 5F073CB03
, 5F073CB06
, 5F073CB12
, 5F073DA05
, 5F073DA11
, 5F073EA29
