特許
J-GLOBAL ID：200903052965664632
窒化ガリウム系半導体素子及び窒化ガリウム系半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-025003
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293935
出願日： 1997年02月07日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：
【要約】【課題】 Al導入に伴う格子不整問題を回避し、GaAlNの厚みを薄することなくクラックの発生を防止し、かつ、AlGaN層のAl組成を高くする。【解決手段】 基板と、基板に近接して設けられ、マグネシウム濃度N<SB>bg1 </SB>cm<SP>-3</SP>の窒化ガリウムを主成分とした厚みd<SB>1 </SB>μmの単結晶層と、基板とで前記単結晶層を挟む位置に設けられ、濃度N<SB>Mg</SB>cm<SP>-3</SP>のマグネシウムが添加されるともに、Al組成xが0.02以上1以下となる厚みd<SB>2 </SB>μmのGa<SB>1-x </SB>Al<SB>x </SB>Nを主成分とする半導体層とを備え、Al組成x、濃度N<SB>Mg</SB>、濃度N<SB>bg1 </SB>、厚みd<SB>1 </SB>及び厚みd<SB>2 </SB>との間に次の関係を有する窒化ガリウム系半導体素子である。d<SB>1 </SB>/(1600×x)<d<SB>2 </SB><3.6 ×10<SP>-3</SP>× logN/(x+0.02)+0.02,ここで、Ncm<SP>-3</SP>は、N<SB>Mg</SB>>N<SB>bg1 </SB>の場合、N=N<SB>Mg</SB>-N<SB>bg1 </SB>、N<SB>Mg</SB>≦N<SB>bg1 </SB>の場合、Nは無添加のGa<SB>1-x </SB>Al<SB>x </SB>Nにおけるマグネシウムのバックグラウンドレベル。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板に近接して設けられ、マグネシウム濃度N<SB>bg1 </SB>cm<SP>-3</SP>の窒化ガリウムを主成分とした厚みd<SB>1 </SB>μmの単結晶層と、前記基板とで前記単結晶層を挟む位置に設けられ、濃度N<SB>Mg</SB>cm<SP>-3</SP>のマグネシウムが添加されるともに、Al組成xが0.02以上1以下となる厚みd<SB>2 </SB>μmのGa<SB>1-x </SB>Al<SB>x </SB>Nを主成分とする半導体層とを備え、前記Al組成x、前記濃度N<SB>Mg</SB>、前記濃度N<SB>bg1 </SB>、厚みd<SB>1 </SB>及び厚みd<SB>2 </SB>との間に以下の関係を有する窒化ガリウム系半導体素子。d<SB>1 </SB>/(1600×x)<d<SB>2 </SB><3.6 ×10<SP>-3</SP>× logN/(x+0.02)+0.02ここで、Ncm<SP>-3</SP>は、N<SB>Mg</SB>>N<SB>bg1 </SB>の場合、N=N<SB>Mg</SB>-N<SB>bg1 </SB>、N<SB>Mg</SB>≦N<SB>bg1 </SB>の場合、Nは無添加のGa<SB>1-x </SB>Al<SB>x </SB>Nにおけるマグネシウムのバックグラウンドレベルである。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01S 3/18
, H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
