特許

J-GLOBAL ID：200903037141803413

SOI基板の製造方法

発明者： 中嶋 健 ,  須藤 充 ,  中井 哲弥 ,  冨澤 憲治
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-358759
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191617
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：

【要約】【課題】 酸化膜上に形成された半導体層に結晶欠陥が少なく、この半導体層の結晶性が高く、これによりデバイスの特性を低下させず、高い歩留りでSOI基板を製造する。【解決手段】 第1シリコン基板11の表面にエピタキシャル成長法によりシリコン単結晶薄膜12を形成する。第1基板の単結晶薄膜12上に酸化膜13を形成する。第1基板の表面から水素イオンを注入して単結晶薄膜12より内部の第1基板に水素イオン注入領域11aを形成する。第1基板を酸化膜13を介して第2シリコン基板14に重ね合わせて密着させる。第1基板を第2基板に密着させたまま熱処理して第1基板を水素イオン注入領域11aで第2基板から分離して第2基板の表面に単結晶薄膜12を露出させる。表面に単結晶薄膜12を有する第2基板を更に熱処理する。

請求項（抜粋）：

第1シリコン基板(11)の表面にエピタキシャル成長法によりシリコン単結晶薄膜(12)を形成する工程と、前記第1シリコン基板(11)のシリコン単結晶薄膜(12)上に酸化膜(13)を形成する工程と、前記第1シリコン基板(11)の表面から水素イオンを注入して前記シリコン単結晶薄膜(12)より内部の第1シリコン基板(11)に水素イオン注入領域(11a)を形成する工程と、前記第1シリコン基板(11)を前記酸化膜(13)を介して支持基板となる第2シリコン基板(14)に重ね合わせて密着させる工程と、前記第1シリコン基板(11)を前記第2シリコン基板(14)に密着させたまま所定の温度で熱処理して前記第1シリコン基板(11)を前記水素イオン注入領域(11a)で前記第2シリコン基板(14)から分離して前記第2シリコン基板(14)の表面に前記シリコン単結晶薄膜(12)を露出させる工程と、表面に前記シリコン単結晶薄膜(12)を有する前記第2シリコン基板(14)を更に熱処理する工程とを含むSOI基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 Q

引用特許：

審査官引用 (2件)

• SOI基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-066027   出願人：住友シチックス株式会社
• 薄い半導体材料フィルムの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-246594   出願人：コミサリヤ・ア・レネルジ・アトミク