特許
J-GLOBAL ID:200903037143160820

ハイブリッドIC回路及びDC-DCコンバータ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 穂坂 道子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-276048
公開番号(公開出願番号):特開2008-099378
出願日: 2006年10月10日
公開日(公表日): 2008年04月24日
要約:
【課題】実装面積が大幅に縮小されたハイブリッドIC回路を実現する。【解決手段】本発明では、インダクタンス素子として、高透磁率を有すると共に電気的に絶縁性の磁性体コア(10)の内部にコイル素子(11)が埋設されたインダクタンス素子(4)を用い、コイル素子を封止する磁性体コア(10)の2つの外周面(4a,4b)を実装面として利用する。一方の実装面(4b)は当該インダクタンス素子をPCボード(17)上に実装するための実装面として用い、他方の実装面(4a)はIC回路及び受動回路素子を実装するための実装面として利用する。この結果、複数の回路素子が積層されたハイブリッドIC回路が実現される。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
インダクタンス素子と、IC回路チィップと、各種回路素子とを有するハイブリッドIC回路であって、 前記インダクタンス素子は、高透磁率の磁性体コアと、磁性体コアの内部に埋設された1個又は複数個のコイル素子とを有し、 前記磁性体コアは、当該インダクタンス素子を基板上に実装するための第1の実装面と、第1の実装面と対向する第2の実装面とを有し、 前記IC回路チィップは、磁性体コアの第2の実装面に実装されていることを特徴とするハイブリッドIC回路。
IPC (2件):
H02M 3/155 ,  H02M 3/28
FI (2件):
H02M3/155 Y ,  H02M3/28 Y
Fターム (15件):
5H730AA15 ,  5H730BB13 ,  5H730BB23 ,  5H730BB43 ,  5H730BB57 ,  5H730EE02 ,  5H730EE07 ,  5H730FD01 ,  5H730XC20 ,  5H730ZZ01 ,  5H730ZZ04 ,  5H730ZZ11 ,  5H730ZZ12 ,  5H730ZZ16 ,  5H730ZZ17
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • インダクタ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2004-186764   出願人:東京コイルエンジニアリング株式会社
審査官引用 (4件)
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