特許
J-GLOBAL ID：200903037156984589
化合物半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-051927
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260114
出願日： 2003年02月27日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】GaN系化合物特有の素子特性を損ねることなく、ゲート電極における電流リークを生じにくくした化合物半導体素子を提供する。【解決手段】HEMT1の電子供給層110はAlxGa1-xNからなり、また、チャネル層119はGaNからなる。そして、電子供給層110の、ゲート電極の位置する側の表面が、AlyGa1-yN(ただし、y>x)からなるキャップ層112にて覆われてなり、該キャップ層112上にゲート電極108が形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Gaを必須とするIII族元素の窒化物からなる電子供給層と、該電子供給層から電子の供給を受けるチャネル層と、前記電子供給層上にショットキー電極からなるゲート電極とを有し、
前記電子供給層はAlxGa1-xNからなり、また、前記チャネル層は該電子供給層よりもGaN混晶比の高いIII族元素の窒化物からなり、さらに、
前記電子供給層の、前記ゲート電極の位置する側の表面が、AlyGa1-yN(ただし、y>x)からなるキャップ層にて覆われてなり、該キャップ層上に前記ゲート電極が形成されてなることを特徴とする化合物半導体素子。
IPC (3件)：
H01L21/338
, H01L29/778
, H01L29/812
5F102FA00
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ02
, 5F102GJ10
, 5F102GK02
, 5F102GL02
, 5F102GM04
, 5F102GM07
, 5F102GM08
, 5F102GM10
, 5F102GQ01
, 5F102GT01
, 5F102GT03
, 5F102GV05
, 5F102HC01
