半導体素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤島洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-056788
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252458
出願日： 1999年03月04日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】絶縁膜を通過するリーク電流を抑制することができるFETなどの半導体素子を提供する。【解決手段】サファイアよりなる基板11の上にundope-AlGaNよりそれぞれなるバッファ層12および下地層13を介してn型AlGaNよりなる電子供給層14およびn型GaNよりなる電子走行層15が順次積層されている。電子走行層15の上には絶縁膜16を介してゲート電極17が設けられている。絶縁膜16はAlNよりなる第1の絶縁膜16aとSiO2 よりなる第2の絶縁膜16bとが電子走行層15の側から順に積層された構造を有している。このように第2の絶縁膜16bを設けることにより、第1の絶縁膜16aのみでは発生してしまうリーク電流を抑制できる。また、第2の絶縁膜を備える代わりに、第1の絶縁膜をAlの組成比が異なるAl含有窒化物系III族ナイトライド化合物半導体の多層膜により構成するようにしてもよい。

請求項（抜粋）：

チャネル層と制御電極との間に絶縁膜を備えると共に、前記チャネル層は、III族元素であるガリウム(Ga),アルミニウム(Al),ホウ素(B)およびインジウム(In)からなる群のうちの少なくとも1種と、V族元素である窒素(N),リン(P)およびヒ素(As)からなる群のうちの少なくとも窒素とを含む窒化物系III-V族化合物半導体よりなる半導体素子であって、前記絶縁膜は多層膜よりなることを特徴とする半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 29/80 H , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 G

Fターム (26件)：

5F040DA00 , 5F040DC03 , 5F040DC04 , 5F040DC10 , 5F040EB12 , 5F040EC01 , 5F040EC04 , 5F040EC08 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F040ED04 , 5F040ED06 , 5F040EH01 , 5F040EH02 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GQ02 , 5F102GR01 , 5F102GT03 , 5F102HC01 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (8件)

化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-342562 出願人：富士通株式会社
GaN系絶縁ゲート型トランジスタ及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-327632 出願人：古河電気工業株式会社
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-347634 出願人：日本電気株式会社

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