薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-054099
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263704
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】絶縁膜等へのダメージが少なく、OFF電流の低減が図れると共に製造プロセスの簡略化が図れる薄膜トランジスタを提供する。【構成】絶縁性基板1の上に多結晶状態の第1の半導体層2が形成され、その上に、間に第1の絶縁膜3を介してゲート電極5が形成されている。ゲート電極5の上には第2の絶縁膜6が形成され、その上で分断されて第1の半導体層2に少なくとも一部が接する状態で、不純物が高濃度にドープされた第2の半導体層7a、7bが堆積されている。分断された第2の半導体層7a、7bの各々に接してソース電極およびドレイン電極を構成する金属層が形成されている。第2の半導体層が堆積することにより形成されているので、不純物のイオンドーピングを高濃度で行う必要が無い。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の上に多結晶状態の第1の半導体層が形成され、該第1の半導体層の上に、間に第1の絶縁膜を介してゲート電極が形成され、該ゲート電極を覆うように第2の絶縁膜が形成され、該第2の絶縁膜の上で分断され、かつ、該第1の半導体層に少なくとも一部が接する状態で、不純物が高濃度にドープされた第2の半導体層が堆積され、分断された第2の半導体層の各々に接してソース電極およびドレイン電極を構成する金属層が形成されている薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-220475
特開平3-201540
特開平1-222226

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