特許
J-GLOBAL ID：200903037199393240

化学機械平坦化用溝付き研磨パッド

発明者：
ジェームズ,デービッド・ビー

ジェームズ,デービッド・ビー について

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ヴィシュウォナサン,アラン

ヴィシュウォナサン,アラン について

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クック,リー・メルボルン

クック,リー・メルボルン について

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バーク, ピーター・エー

バーク, ピーター・エー について

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シドナー,デービッド

シドナー,デービッド について

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ソォー,ヨセフ・ケー

ソォー,ヨセフ・ケー について

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ロバーツ,ジョン・ブイ・エイチ

ロバーツ,ジョン・ブイ・エイチ について


出願人/特許権者：
ロデール ホールディングス インコーポレイテッド

ロデール ホールディングス インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 津国 肇 ,  篠田 文雄 ,  束田 幸四郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-587969
公開番号（公開出願番号）：特表2004-507077
出願日： 2001年05月24日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
半導体ウェハの金属ダマシン構造を研磨するためのパッド及び方法であって、パッドは、高いパッド剛性と共に、低い弾性回復と高いエネルギー散逸を有し、パッドは、約75〜約2540μmの溝深さ(D)、約125〜約1270μmの溝幅(W)及び約500〜3600μmの溝ピッチ(P)とを有する溝を含むマクロテクスチャを有する。溝パターンは、約0.03〜約1.0の溝剛性係数GSQと、約0.03〜約0.9の溝フロー係数GFQとを与える。
請求項（抜粋）：
半導体デバイス又はその前駆体の表面を平坦化するための研磨パッドであって、該パッドは該表面を平坦化するための研磨層を有し、該研磨層が、 硬度、引張弾性率、エネルギー損失因子KEL、30°C及び90°Cでの貯蔵弾性率E′の比率、及び1個以上の溝を有する溝パターンを含むマクロテクスチャにより特徴付けられ;該溝パターンが、 約75〜約2,540μmの溝深さ、 約125〜約1,270μmの溝幅、及び 約500〜約3,600μmの溝ピッチを有し、 該溝パターンが、同心、螺旋、クロスハッチ、X-Y格子、六角形、三角形、フラクタル又はこれらの組み合わせである、研磨パッド。
IPC (2件)：
H01L21/304 ,  B24B37/00
FI (3件)：
H01L21/304 622F ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 C
Fターム (4件)：
3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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