特許
J-GLOBAL ID:200903037212337648

基板処理装置及び基板処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 竹村 壽
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-000140
公開番号(公開出願番号):特開2000-200765
出願日: 1999年01月04日
公開日(公表日): 2000年07月18日
要約:
【要約】【課題】 薬液の分解による組成変化が少ないウェーハなどの被処理基板上に均等に薬液が広がり、被処理基板表面上での薬液のミスト発生、揮発を抑制できる被処理基板を処理する基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】 ウェーハ100上に少なくとも薬液または薬液もしくはガスを吐出する外管ノズル103を有し、さらにこのノズルの内部にさらに少なくとも薬液または薬液もしくはガスを流すことができる内管ノズル104をもつ2重などの多重ノズル形状を有し、かつ外管ノズルの先端形状がウェーハに平行であり、且つ非接触な天板構造105を有する。多重ノズルから同時に薬液を吐出し、ウェーハ近傍で薬液を効率よく混合できる。薬液のミスト発生、揮発が抑えられる。また水洗時、純水が大気との接触面積が少なく大気中の不純物が純水中に溶け込むことを抑制できる。酸素を必要とするウォターマークの発生も抑制できる。
請求項(抜粋):
被処理基板上に少なくとも薬液もしくは薬液及びガスのいずれかを吐出する外管ノズルと、前記外管ノズルの内部に薬液、もしくは薬液及びガスをそれぞれ吐出する内管ノズルとを持つ多重ノズル形状を有し、前記外管ノズルは、先端形状が前記薬液及びガスのいずれかを吐出する吐出口付近より前記被処理基板に平行に延在して配置され、且つ処理中は前記被処理基板に非接触な状態にある構造を備えていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件):
H01L 21/304 643 ,  H01L 21/306
FI (2件):
H01L 21/304 643 C ,  H01L 21/306 R
Fターム (5件):
5F043AA01 ,  5F043CC16 ,  5F043EE07 ,  5F043EE31 ,  5F043GG10
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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