特許

J-GLOBAL ID：200903037223487200

パターン欠陥検査方法及び検査装置

発明者： 田畑 光雄 ,  東條 徹 ,  土屋 英雄 ,  渡辺 利之
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-052947
公開番号（公開出願番号）：特開平8-247738
出願日： 1995年03月13日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：

【要約】【目的】 ハーフトーンマスクについても従来のクロムマスクと同様に、微小な欠陥を精度良く検出できるパターン欠陥検査方法を提供することにある。【構成】 ハーフトーンマスク1に光を照射し、マスク1のパターン像を受光素子5により受光すると共に、パターン像に対応する2値の設計データから多値の基準データを作り出し、受光されたパターン像に対応する観測データと基準データとを比較することによりパターン欠陥を検査するパターン欠陥検査方法において、観測データと基準データとを比較する前に、マスク面上パターンの半透明部を非透明部とみなした半透明部の観測データと該半透明部に相当する基準データとを一致させるように、センサアンプのオフセットを調整し、試料面上パターンの透明部の観測データと該透明部に相当する基準データとを一致させるように、センサアンプのゲインを調整することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

パターンが形成された試料に所定波長の光を照射し、試料のパターン像を光学系を通して受光素子により受光すると共に、パターン像に対応する2値の設計データから多値の設計パターンイメージデータを作り出し、受光されたパターン像に対応する観測データと設計パターンイメージデータとを比較することにより試料面上パターンの欠陥を検査するパターン欠陥検査方法において、前記観測データと設計パターンイメージデータとを比較する前に、試料面上パターンの半透明部を非透明部とみなした半透明部の観測データと該半透明部に相当する設計パターンイメージデータとを一致させるように、受光素子アンプのオフセットを調整し、かつ試料面上パターンの透明部の観測データと該透明部に相当する設計パターンイメージデータとを一致させるように、受光素子アンプのゲインを調整することを特徴とするパターン欠陥検査方法。

IPC (4件)：

G01B 11/24 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

G01B 11/24 F ,  G01N 21/88 E ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 H ,  H01L 21/30 502 V

引用特許：

審査官引用 (2件)

• パターン検査方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-324548   出願人：株式会社東芝
• 特公昭63-003450