特許
J-GLOBAL ID：200903037235766139
形状記憶合金薄膜アクチュエータの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-327094
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173306
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】半導体製造プロセスによって、所望形状のSMA薄膜を有するアクチュエータを効率良く且つ低コストで一貫製造することが可能な形状記憶合金薄膜アクチュエータの製造方法を提供する。【解決手段】シリコン基板2の両面に絶縁膜4,6を形成する工程と、TiNi合金から成り且つ所定の内部応力を有する下層薄膜10及び上層薄膜12から成る形状記憶合金薄膜(SMA薄膜)をシリコン基板の表面に形成された絶縁膜4上に成膜する工程と、SMA薄膜を結晶化させるための結晶化熱処理工程と、SMA薄膜に平坦状の形状を記憶させるための形状記憶処理工程と、フォトリソグラフィーによってSMA薄膜を所定形状にパターニングする工程と、シリコン基板の裏面に形成された絶縁膜6の一部をエッチング除去する工程と、残留している絶縁膜を介してシリコン基板に異方性エッチングを施す工程とを有する。
請求項（抜粋）：
基板の両面に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、所定の合金材料から成り且つ所定の内部応力を有する形状記憶合金薄膜を前記基板の表面に形成された前記絶縁膜上に成膜する成膜工程と、前記形状記憶合金薄膜を結晶化させるための結晶化熱処理工程と、前記形状記憶合金薄膜に形状記憶処理を施す形状記憶処理工程と、前記形状記憶合金薄膜を所定形状にパターニングするパターニング工程と、前記基板の裏面に形成された前記絶縁膜の一部をエッチング除去する工程と、前記基板の裏面に残留した前記絶縁膜を介して前記基板をエッチングする工程とを有することを特徴とする形状記憶合金薄膜アクチュエータの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05K 1/14 H
, C23C 28/00 E
