特許
J-GLOBAL ID：200903037251870841

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
尾方 秀一

尾方 秀一 について

, 
伊東 健一

伊東 健一 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-356446
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177035
出願日： 1999年12月15日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 樹脂封止時のダイパッドの変位と半導体素子内の残留歪みの発生を防止して、安定した品質の半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体素子50が載置されるダイパッド101と一体に形成された一対のサポートリード110の、半導体素子50載置側の面に突出部112を形成する。樹脂封止の際に、ダイパッド101の下面を下金型82の内壁面に、突出部112の頂部を上金型81の内壁面にそれぞれ当接させながら樹脂封止する。これにより、封止時のダイパッド101の変位が抑えられ、半導体素子50に歪みが残留しない。
請求項（抜粋）：
半導体素子と、前記半導体素子を一方の面に載置したダイパッドと、前記ダイパッドと一体に形成されたサポートリードとを有し、前記半導体素子、前記ダイパッド、及び前記サポートリードが樹脂で封止された半導体装置であって、前記サポートリードの、前記ダイパッドの前記半導体素子が載置された面と同一面側に突出部が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/50 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28
FI (4件)：
H01L 23/50 G ,  H01L 23/50 Q ,  H01L 21/56 T ,  H01L 23/28 A
Fターム (20件)：
4M109AA01 ,  4M109BA02 ,  4M109CA21 ,  4M109DB03 ,  4M109FA01 ,  4M109GA05 ,  5F061AA01 ,  5F061BA02 ,  5F061CA21 ,  5F061DD12 ,  5F061FA05 ,  5F067AA03 ,  5F067AA06 ,  5F067AA11 ,  5F067BD00 ,  5F067BD02 ,  5F067BE01 ,  5F067CA00 ,  5F067DE05 ,  5F067DE09
引用特許：
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (5件)
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