電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：真田有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-307798
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079342
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】高感度の検出感度が要求される検出対象物質の検出を可能としたセンサを提供する。【解決手段】基板2と、基板2に設けられたソース電極4及びドレイン電極5と、ソース電極4及びドレイン電極5間の電流通路になるチャネル6とを備えた電界効果トランジスタ1Aを有し、検出対象物質を検出するためのセンサにおいて、電界効果トランジスタ1Aが、検出対象物質と選択的に相互作用をする特定物質10を固定するための相互作用感知ゲート9と、相互作用を電界効果トランジスタ1Aの特性の変化として検出するべく電圧を印加されるゲート7とを有するように構成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、該基板に設けられたソース電極及びドレイン電極と、上記のソース電極及びドレイン電極間の電流通路になるチャネルとを備えた電界効果トランジスタを有し、検出対象物質を検出するためのセンサであって、該電界効果トランジスタが、該検出対象物質と選択的に相互作用をする特定物質を固定するための相互作用感知ゲートと、該相互作用を該電界効果トランジスタの特性の変化として検出するべく電圧を印加されるゲートとを有することを特徴とする、センサ。

IPC (4件)：

H01L29/80 , G01N27/414 , H01L29/06 , H01L29/66

FI (7件)：

H01L29/80 A , H01L29/06 601N , H01L29/66 S , G01N27/30 301N , G01N27/30 301U , G01N27/30 301V , G01N27/30 301W

Fターム (11件)：

5F102FB10 , 5F102GB01 , 5F102GC05 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ04 , 5F102GJ05 , 5F102GJ06 , 5F102GJ09 , 5F102GL10

引用特許：

出願人引用 (1件)

センサー
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-064142 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (4件)

特公平5-072979
化学的にゲート動作する単一電子トランジスタを使用したセンシングデバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-517431 出願人：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
半導体イオンセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-363960 出願人：松下電工株式会社

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引用文献：

審査官引用 (5件)

カーボンナノチューブを用いた量子効果ナノデバイスの集積化技術を開発
Electronic Detection of Specific Protein Binding Using Nanotube FET Devices
位置制御成長カーボンナノチューブの作成とデバイス応用

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