基板処理システムおよび基板処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-041442
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253551
出願日： 2003年02月19日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：

【課題】パターンを高精度に形成するとともに、基板処理工程全体のスループットを向上させる。【解決手段】基板処理システムは、レジスト塗布処理を行うスピンナと、パターン露光処理を行うパターン露光装置と、これらを統括制御するホストコンピュータとを備えている。基板に対してレジストが塗布されると、スピンナにおいてレジスト膜の膜厚が測定される(ステップS104)。このレジスト膜の膜厚は、ホストコンピュータ3に送信され、さらに、パターン露光装置に転送される(ステップS105〜S201)。パターン露光装置は、受信した膜厚に応じてパターン露光処理における露光量を決定する(ステップS202)。このように比較的処理時間に余裕のあるスピンナにおいてレジスト膜の膜厚を測定することで、パターン露光装置の処理時間が減少し、基板処理工程全体におけるスループットを向上させることができる。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

レジストを塗布して基板上にレジスト膜を形成するレジスト塗布手段を有する第1基板処理装置と、前記第1基板処理装置から受け渡された前記基板上のレジスト膜を露光して前記レジスト膜にパターンを形成するパターン露光手段を有する第2基板処理装置と、前記第1および第2基板処理装置の双方と通信可能なホストコンピュータとを備える基板処理システムであって、 a)前記第1基板処理装置は、前記レジスト膜の膜厚を測定する測定手段と、前記レジスト膜の膜厚を前記ホストコンピュータに送信する送信手段と、を備え、 b)前記第2基板処理装置は、前記レジスト膜の膜厚を前記ホストコンピュータから受信する受信手段と、前記レジスト膜の膜厚に応じて、前記パターン露光手段が露光する際のパターン露光量を規定するパラメータ値を決定するパターン露光量決定手段と、を備えることを特徴とする基板処理システム。

IPC (4件)：

H01L21/027 , B05D7/00 , G03F7/20 , G03F7/30

FI (5件)：

H01L21/30 516D , B05D7/00 H , G03F7/20 521 , G03F7/30 501 , H01L21/30 577

Fターム (31件)：

2H096AA24 , 2H096AA25 , 2H096AA27 , 2H096AA28 , 2H096AA30 , 2H096CA12 , 2H096EA05 , 2H096EA30 , 2H096GA21 , 2H096LA16 , 4D075AC64 , 4D075AC79 , 4D075AC92 , 4D075BB42Z , 4D075BB46Z , 4D075BB94Z , 4D075CA47 , 4D075DA06 , 4D075DB13 , 4D075DB14 , 4D075DC21 , 4D075DC24 , 4D075EA07 , 4D075EA45 , 5F046AA17 , 5F046BA03 , 5F046DA02 , 5F046DB14 , 5F046JA21 , 5F046JA22 , 5F046MA18

引用特許：

審査官引用 (8件)

塗布膜形成装置及びその方法並びにパタ-ン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-110661 出願人：東京エレクトロン株式会社
周辺露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-090537 出願人：株式会社ニコン
特開平4-053121

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