特許

J-GLOBAL ID：200903037314839842

光強度分布解析方法

発明者： 乾 博智
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-167556
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003848
出願日： 1998年06月15日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】 解析時間を短縮することができる光強度分布解析方法を提供する。【解決手段】 マスクパターン全体から切り出したSk×Skのサイズの矩形領域を密刻み間隔dxfでビットマップに展開したときに、密刻み間隔dxfで区画された密刻み領域の透過率Fを判定して、各密刻み領域の透過率Fが全て0であるか又は全て1であるかを調査する。その後、各密刻み領域内の透過率Fが全て0であるか又は全て1である場合には、疎刻み間隔dxsでマスク形状のデータをビットマップに展開し、コンボリューション積分により光強度を算出する。一方、疎刻み間隔dxs内における各密刻み領域内の透過率Fが全て0又は全て1でない場合には、疎刻み間隔dxs内を密刻み間隔dxfでマスク形状のデータをビットマップに展開し、コンボリューション積分により光強度を算出する。

請求項（抜粋）：

露光用光により光学系を介してマスクのパターン形状が投影される露光対象領域の光強度分布を解析する方法において、前記露光対象領域を所定の第1刻み間隔で分割して複数の第1領域を区画する工程と、前記第1領域内で露光用光の照射領域と非照射領域とが混在するかどうかを判断する工程と、前記混在を判断する工程で照射領域と非照射領域とが混在すると判断された場合には前記第1領域を前記第1刻み間隔よりも微細な第2刻み間隔で分割して区画された複数の第2領域の光強度を算出する工程を有し、前記混在を判断する工程で照射領域と非照射領域とが混在しないと判断された場合には前記第1領域の光強度を算出する工程と、を有することを特徴とする光強度分布解析方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (4件)：

H01L 21/30 516 C ,  G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 Z

Fターム (4件)：

2H095BB01 ,  5F046AA28 ,  5F046DA02 ,  5F046DB01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• フォトマスク描画用パターンデータ補正方法と補正装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-196898   出願人：ソニー株式会社
• 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-222916   出願人：富士通株式会社
• パターンデータ補正方法、電子線描画方法、フォトマスク及びその作製方法、露光方法、半導体装置及びその製造方法、並びにパターンデータ補正装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-090767   出願人：ソニー株式会社