特許
J-GLOBAL ID：200903037319990522
低電圧粒子ビ-ムを用いた半導体検査用の電圧コントラスト方法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-001987
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208085
出願日： 2000年01月07日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 帯電粒子利用型欠陥検査装置によるパターン形成ずみの半導体基板の欠陥の検出を機能強化するために、その検査装置の生ずる画像の均一性およびコントラストの質を改善する。【解決方法】 パターン形成ずみの基板の欠陥の検出を、その基板の一部の画像を形成しその形成画像を基準画像と比較してその基板の欠陥を検出する帯電ビーム利用型欠陥検査装置によって行う。その形成画像の均一性およびコントラスト、とくに電圧コントラストを最適化するようにその検査装置のパラメータを最適化する。基板上の一部の領域を画像化する前に、その画像形成領域の周囲の領域を上記装置で帯電させてその周囲領域の非対称帯電の悪影響を消去または軽減する。この検査装置は周囲領域の帯電と画像形成領域からの画像形成とを交互に行って、画像化領域の複数の画像を形成し、それら画像を平均化処理する。これによって、高度に均一でコントラストの改善された画像が得られ、欠陥検出の精度を上げることができる。
請求項（抜粋）：
パターン形成ずみの基板の欠陥を検出する方法であって、帯電粒子ビームを前記基板に向ける過程と、前記ビームで前記基板を走査する過程と、形成画面の均一性およびコントラスト並びに画像捕捉速度を改善するように前記ビームのパラメータを最適化する過程と、前記基板の第1の領域の少なくとも部分的画像を前記基板から帯電粒子経由で捕捉する過程であって、前記第1の領域を取り囲む第2の領域を帯電させることと前記第1の領域を画像化することとを含む過程と、前記捕捉した画像を前記パターン形成ずみ基板の欠陥を検出するように基準と比較する過程とを含む方法。
IPC (3件)：
H01J 37/22 502
, H01J 37/22
, H01L 21/66
H01J 37/22 502 F
, H01J 37/22 502 B
, H01L 21/66 J
