特許
J-GLOBAL ID:200903037328369032

半導体集積装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮井 暎夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-329839
公開番号(公開出願番号):特開2000-156462
出願日: 1998年11月19日
公開日(公表日): 2000年06月06日
要約:
【要約】【課題】 生産性が高く、低コストで、チップ設計の自由度も高く、かつ高速動作に対応でき、より薄型の半導体集積装置を得る。【解決手段】 素子形成面をリードフレームの下面にリードオンチップにより固定した第1の半導体チップ10と、第1の半導体チップ10と素子形成面同志または非素子形成面同志が対向することなく配置し非素子形成面をダイパット12の上面に接着剤層16を介して固定した第2の半導体チップ11と、第1の半導体チップ10とインナーリード13ならびに第2の半導体チップ11とインナーリード13を電気的に接続した金属線17,18と、リードフレームと第1の半導体チップ10と第2の半導体チップ11と金属線17,18を封止した封止樹脂19とを備えたものである。
請求項(抜粋):
ダイパッドと前記ダイパッドと分離して設けられたインナーリードと前記インナーリードに繋がる外部端子とからなるリードフレームと、表面にボンディングパッドを有し素子形成面を前記リードフレームの下面にリードオンチップにより固定した第1の半導体チップと、表面にボンディングパッドを有し前記第1の半導体チップと素子形成面同志または非素子形成面同志が対向することなく配置し非素子形成面を前記ダイパットの上面に接着剤層を介して固定した第2の半導体チップと、前記第1の半導体チップと前記インナーリードならびに前記第2の半導体チップと前記インナーリードを電気的に接続した金属線と、前記リードフレームと前記第1の半導体チップと前記第2の半導体チップと前記金属線を封止した封止樹脂とを備えた半導体集積装置。
IPC (4件):
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/52
FI (2件):
H01L 25/08 B ,  H01L 23/52 C
引用特許:
審査官引用 (4件)
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