特許
J-GLOBAL ID：200903037328430122
細線構造の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-011341
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209427
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 細線構造の形成工程を簡略化し、かつ細線構造を所望の寸法に高精度で形成する。【解決手段】 表面にバンチングステップ3が形成されているシリコン基板1上にゲルマニウムを蒸着し、バンチングステップ3上に複数のゲルマニウムアイランド5(以下、「Geアイランド5」と記す。)を形成する。Geアイランド5を成長し、隣接するGeアイランド5同士を合体させ、細線構造6を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板の表面に単原子層の段差からなる複数のステップが集合した部分と原子的に平坦な部分とを形成する工程と、前記シリコン基板上に半導体物質を蒸着し、半導体物質からなる複数のアイランド構造を形成する工程と、前記複数のアイランド構造を前記ステップに沿う方向に成長させ、隣接して形成された前記アイランド構造同士を合体させる工程とを有する細線構造の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 29/06
, H01L 21/20
, H01L 21/203
H01L 29/06
, H01L 21/20
, H01L 21/203 M
