高電圧型半導体構成素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-569452
公開番号（公開出願番号）：特表2002-524879
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2002年08月06日
要約：

【要約】阻止型pn-接合を有する半導体、第一の電極(10)と接続されており、かつ第一の導電型の反対の位置にある第二の導電型の阻止型pn-接合を形成する帯域(6)に隣接している第一の導電型の第一帯域(16、7)、第二の電極(2)と接続されている第一の導電型の第二帯域(15、1)を有し、この場合、第二の導電型の帯域(6)の、第二帯域(15、1)に向けられた側は、第一表面(A)を形成し、第一表面(A)と、第一表面(A)及び第二帯域(15、1)の間に存在する第二表面(B)との間の領域で、第一の導電型及び第二の導電型の領域(4、5)がお互いの中に入り組んでいる半導体構成素子。本願発明による半導体構成素子は、破損の前もしくは間の高い電子なだれ耐性及び大きな電流容量によって顕著であり、他方では、良好に再現可能な性質を有する製造プロセスの技術的変動幅に関連して簡単に製造可能である。

請求項（抜粋）：

阻止型pn-接合を有する半導体、第一の電極(10)と接続されており、かつ第一の導電型の反対の位置にある第二の導電型の阻止型pn-接合を形成する帯域(6)に隣接している第一の導電型の第一帯域(16、7)、第二の電極(2)と接続されている第一の導電型の第二帯域(15、1)を有し、この場合、第二の導電型の帯域(6)の、第二帯域(15、1)に向けられた側は、第一表面(A)を形成し、第一表面(A)と、第一表面(A)及び第二帯域(15、1)の間に存在する第二表面(B)との間の領域で、第一の導電型及び第二の導電型の領域(4、5)がお互いの中に入り組んでいる半導体構成素子において、第一の導電型及び第二の導電型の領域(4、5)が、第一表面(A)の付近の領域(I)では第二の導電型の電荷担体が主要部分を占め、第二表面(B)の付近の領域(III)では第一の導電型の電荷担体が主要部分を占めているようにドープされていることを特徴とする、半導体構成素子。

IPC (3件)：

H01L 29/78 , H01L 29/78 652 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 652 G , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 301 D , H01L 29/78 658 E

Fターム (20件)：

5F140AA20 , 5F140AA25 , 5F140AC21 , 5F140AC23 , 5F140BA01 , 5F140BA16 , 5F140BB03 , 5F140BD07 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF44 , 5F140BH07 , 5F140BH09 , 5F140BH12 , 5F140BH13 , 5F140BH30 , 5F140BH34 , 5F140BH41 , 5F140BH47 , 5F140CD10

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-004918 出願人：富士電機株式会社
高電圧用に延長されたドレイン領域を持つMOSトランジスタを有する半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-177569 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
パワーMOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-076503 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

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