基板の異方性エッチング方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：川口義雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-055248
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323454
出願日： 2000年03月01日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】マスクを通して横方向に規定されたくぼみ構造を与えるためにプラズマを使用する、シリコンのプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】この方法は、一方できわめて大きいエッチング速度とマスクに関連する高い選択性とを達成しながら、プラズマのパラメータ変化に基づいて、よく制御された異方性エッチングを生じる。混合ガスは、チャンバが排気されたのち真空チャンバに導入され、プラズマがチャンバ内に発生する。基板の表面はプラズマに晒される。電源は、プラズマ放電のために用いられる。統合制御システムが、プラズマ放電電力および基板のバイアス電圧のレベル調整のために用いられる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板をエッチングするための異方性エッチング方法であって、エッチングガスとパッシベートガスとを含んでいる混合ガスを、エッチングすべきシリコン基板を備えるチャンバ中に導入する導入ステップと、第1の時間期間中、前記基板の表面から材料を除去し、それにより露出した表面を得るように、励起電力および基板バイアスを制御することにより、前記混合ガスの存在下で前記基板をエッチングするエッチングステップと、第2の時間期間中、前記露出した表面をポリマー層で被覆するように、励起電力および基板バイアスを制御することにより、前記混合ガスの存在下で前記基板をパッシベートするパッシベートステップであって、前記エッチングステップ中およびパッシベートステップ中、前記混合ガスが同じであるパッシベートステップと、前記エッチングステップを繰り返すステップとを含むエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 F , C23F 4/00 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマ処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-055407 出願人：株式会社日立製作所
特開昭61-090421
表面処理装置およびその運転方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-153279 出願人：株式会社日立製作所

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