特許
J-GLOBAL ID：200903037362751272
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-297376
公開番号（公開出願番号）：特開平8-162524
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】完全に絶縁分離されたSOI層に絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する半導体装置の製造方法に関し、SOI層の素子領域間に充填された分離絶縁膜や下地絶縁層に隣接するSOI層に十分に高濃度の不純物を導入して空乏化や反転を確実に防止し、かつSOI基板表面の平坦化を図る。【構成】酸化防止マスク15a,15bをイオン注入のマスクに用いて、その縁部よりも内側領域の半導体層13に達するように斜め方向から半導体層13に一導電型の不純物をイオン注入し、酸化防止マスク15a,15bにより半導体層13を酸化性雰囲気で加熱して、絶縁層12に達する選択酸化膜18を形成し、互いに絶縁分離された半導体層13a,13bを形成するとともに、選択酸化膜18に隣接し、かつ少なくとも絶縁層12に隣接する領域の半導体層13a,13bに注入された不純物による一導電型領域19a,19bを形成する工程とを有することを含む。
請求項（抜粋）：
絶縁層上に形成され、素子領域に区分された一導電型の半導体層と、前記半導体層に隣接し、前記半導体層の表面から前記絶縁層に近づくほど膜厚が厚くなって前記絶縁層に達する分離絶縁膜と、前記分離絶縁膜の下の前記半導体層内であって、前記絶縁層と前記分離絶縁膜の接点から20nm以上の範囲の前記半導体層内に不純物濃度のピークを有する一導電型領域又は反対導電型領域とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/762
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 27/08 331
, H01L 27/12
, H01L 29/786
H01L 21/76 D
, H01L 27/08 321 E
, H01L 29/78 621
