特許
J-GLOBAL ID：200903037381377497

光起電力装置及びその製造方法

発明者：
篠原 亘

篠原 亘 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-334493
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101384
出願日： 2003年09月26日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】 この発明は、パターニング加工が容易な逆タイプ構造の集積型光起電力装置の製造方法を提供することをその課題とする。【解決手段】 第1電極膜3と、光電変換層4と、第2電極膜5とを基板1の絶縁層2上に分割することなく順次積層形成した後、前記積層膜に第1電極膜3まで電気的に分離するに至る深い開溝71を設けるとともに、深い開溝71に平行に僅かの間隔を設けて、少なくとも第2電極膜5を分離する浅い開溝61を2つ設け、3つ以上の開溝が設けられた第2電極膜5をマスクとしてエッチング10により、光電変換層4を除去し、少なくとも1つの開溝61の底部に第1電極膜5を露出させ、前記深い開溝71内、或いは深い開溝上面を塞いで絶縁部材7を形成するとともに、第1の電極膜3が露出する開溝を充填し、深い開溝71を跨いで隣接素子上に延在する導電部材を形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に設けられた第1電極膜と、薄膜半導体からなる光電変換層と、この光電変換層上に形成された第2電極膜とを有する光電変換素子を複数直列に接続した集積型光起電力装置の製造方法であって、第1電極膜と、光電変換層と、第2電極膜とを基板の絶縁表面上に分割することなく順次積層形成した後、前記積層膜に第1電極膜まで電気的に分離するに至る深い開溝を設けるとともに、前記深い開溝に平行に僅かの間隔を設けて、少なくとも第2電極膜を分離する浅い開溝を少なくとも1つ以上設け、前記2つ以上の開溝が設けられた第2電極膜をマスクとしてエッチングにより、光電変換層を除去し、少なくとも1つの開溝の底部に前記第1電極膜を露出させ、前記深い開溝内、或いは深い開溝上面を塞いで絶縁部材を形成するとともに、第1の電極膜が露出する開溝を充填し、前記の深い開溝を跨いで隣接素子上に延在する導電部材を形成することを特徴とする集積型光起電力装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L31/04 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065
FI (3件)：
H01L31/04 S ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 105A
Fターム (47件)：
5F004AA02 ,  5F004BB13 ,  5F004CA02 ,  5F004DA01 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F004EA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD05 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045CA13 ,  5F051AA04 ,  5F051BA11 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA15 ,  5F051CA35 ,  5F051CA36 ,  5F051CA37 ,  5F051CB15 ,  5F051CB22 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051DA04 ,  5F051DA20 ,  5F051EA03 ,  5F051EA09 ,  5F051EA10 ,  5F051EA11 ,  5F051EA15 ,  5F051EA16 ,  5F051EA20 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA10 ,  5F051FA13 ,  5F051FA14 ,  5F051FA15 ,  5F051FA16 ,  5F051FA17 ,  5F051GA02 ,  5F051GA06
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特公平5-19990号公報
  • 特公平5-60273号公報
審査官引用 (6件)
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