特許
J-GLOBAL ID：200903015767628326
集積型薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-082387
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274447
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 結晶質光電変換ユニット層を含む集積型薄膜太陽電池の高い出力特性を実現し得る製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁基板1上に積層された裏面電極層2、少なくとも1の結晶質半導体光電変換ユニット層3、および透明電極層4が複数のセルを形成するように複数の分離溝2a,4cによって分類されていて、かつそれらのセルが導電性接続部材によって電気的に直列接続される集積型薄膜太陽電池の製造方法は、透明電極層4を複数の透明電極に分類するための透明電極分離溝4cの形成において、透明電極層4の自由表面側からスクライブ用レーザビームを照射することによって少なくとも透明電極層4の厚さを貫通する透明電極分離溝4cを形成し、その後に、少なくとも、透明電極層4に隣接している導電型半導体層を透明電極分離溝4c内でドライエッチングによって完全に分離する工程を含んでいる。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に順に積層された裏面電極層、少なくとも1の結晶質半導体光電変換ユニット層、および透明電極層が複数の光電変換セルを形成するように複数の分離溝によって分離されていて、かつそれらの複数のセルが導電性接続部材によって電気的に直列接続される集積型薄膜太陽電池の製造方法であって、前記透明電極層を複数の透明電極に分離するための透明電極分離溝の形成において、前記透明電極層の自由表面側からスクライブ用レーザビームを照射することによって少なくともその透明電極層の厚さを貫通する透明電極分離溝を形成し、その後、少なくとも、前記透明電極層に隣接している導電型半導体層を前記透明電極分離溝内でドライエッチングによって完全に分離する工程を含むことを特徴とする集積型薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 C
, H01L 31/04 S
5F051AA03
, 5F051EA02
, 5F051EA16
, 5F051EA17
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
