有機薄膜トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲垣清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-310210
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115624
出願日： 2001年10月05日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】チャネル長を短縮し、高い易動度を有する化合物を用いることによって、応答速度を高速化することができる有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成された第1及び第2の電極から夫々所定の距離をもったゲート電極を有する薄膜トランジスタを形成する。本有機薄膜トランジスタは、第1及び第2の電極間のキャリアの移動方向が有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、有機薄膜層が下記一般式[1]で表される化合物を単独若しくは混合物として含んでいる。

請求項（抜粋）：

有機薄膜層と、夫々が該有機薄膜層の異なる面に接し且つ相互に所定の間隔をあけて対向するように形成された第1及び第2の電極と、該第1及び第2の電極から夫々所定の距離をもって形成された第3の電極とを有し、該第3の電極に電圧を印加することによって前記第1及び第2の電極間に流れる電流を制御する型式の有機薄膜トランジスタであって、前記第1及び第2の電極間のキャリアの移動方向が前記有機薄膜層の膜厚方向と一致する構造を有し、且つ、前記有機薄膜層が下記一般式[1]【化1】(式中、R1〜R6は夫々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基を表す。またR1〜R6は、それらのうちの2つで環を形成していても良い。またL1は置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基を表す。nは1〜3の整数、mは0〜2の整数であり、Mは(n+m)価の金属イオンを表す。)で表される化合物を単独若しくは混合物として含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 51/00 , H01L 29/786 , H01L 29/80

FI (4件)：

H01L 29/28 , H01L 29/80 V , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 626 A

Fターム (35件)：

5F102FB01 , 5F102GB02 , 5F102GC08 , 5F102GD01 , 5F102GL00 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102HC11 , 5F110AA01 , 5F110AA17 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110CC09 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK32

引用特許：

審査官引用 (6件)

スイッチング素子の製造方法、スイッチング素子及びスイッチング素子アレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-374990 出願人：株式会社東芝
特開平1-209767
有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-215748 出願人：旭化成工業株式会社

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