半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-012107
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203889
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【構成】該シリコン基板表面に酸化膜を形成させない条件の雰囲気に維持された炉内にシリコン基板を搬入し、該シリコン基板を所定温度にて酸化性ガスにさらすことにより、該シリコン基板上に吸着されていた有機物の燃焼を行い、続いて、同一炉内にてシリコン基板に対する熱酸化を行う。または、同一炉内にて熱CVDを行う。酸化性ガスとしては、酸素、亜酸化窒素、水蒸気より選ばれる少なくともいずれかを導入する。【効果】シリコン基板を搬入してから熱酸化を開始するまでに不要な自然酸化膜を生成させることなく、熱酸化を行う炉内でシリコン基板上の有機物を燃焼することができる。このため、製造コストを上昇させずに、シリコン酸化膜の絶縁耐性を向上させることができる。また、絶縁耐性のバラツキが防止できるため、歩留まりが向上し、デバイスの信頼性も向上する。

請求項（抜粋）：

基板表面に酸化膜を形成させない条件の雰囲気に維持された炉内に基板を搬入し、該基板を所定温度にて酸化性ガスにさらすことにより、該基板上に吸着されていた有機物の燃焼を行い、続いて、同一炉内にて前記基板に対する所定の処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-049627
シリコン酸化膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-141874 出願人：沖電気工業株式会社
特開平3-066126

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