特許

J-GLOBAL ID：200903037420323677

多層プリント配線板

発明者： 苅谷 隆 ,  古谷 俊樹
出願人/特許権者： イビデン株式会社
代理人 (2件)： 小川 順三 ,  中村 盛夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-103025
公開番号（公開出願番号）：特開2004-311705
出願日： 2003年04月07日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】ICチップ等の電子部品の実装時あるいはヒートサイクル試験時に、導電性バンプの基板内流動を阻止し、電気的接続性や信頼性を向上させること。【解決手段】片面もしくは両面に導体層を有する絶縁性基板に非貫通孔を設け、その非貫通孔内に導電体を充填してバイアホールを形成し、そのバイアホール上に第1の導電性バンプを形成してなる回路基板を2層以上積層し、各回路基板間の接続を前記第1の導電性バンプによって行なうとともに、最外層の回路基板の導体層上に第2の導電性バンプを形成してなる多層プリント配線板において、前記第1の導電性バンプの融点T1は、前記第2の導電性バンプの融点T2よりも高いことを特徴とする多層プリント配線板を提案する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

片面もしくは両面に導体層を有する絶縁性基板に非貫通孔を設け、その非貫通孔内に導電体を充填してバイアホールを形成し、そのバイアホール上に第1の導電性バンプを形成してなる回路基板を2層以上積層し、各回路基板間の接続を前記第1の導電性バンプによって行なうとともに、最外層の回路基板の導体層上に第2の導電性バンプを形成してなる多層プリント配線板において、 前記第1の導電性バンプの融点T1は、前記第2の導電性バンプの融点T2よりも高いことを特徴とする多層プリント配線板。

IPC (2件)：

H05K3/46 ,  H01L23/12

FI (4件)：

H05K3/46 S ,  H05K3/46 G ,  H05K3/46 N ,  H01L23/12 N

Fターム (23件)：

5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346CC04 ,  5E346CC05 ,  5E346CC09 ,  5E346CC10 ,  5E346CC32 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346DD03 ,  5E346DD12 ,  5E346DD13 ,  5E346DD34 ,  5E346EE06 ,  5E346EE07 ,  5E346FF18 ,  5E346FF45 ,  5E346GG06 ,  5E346GG28 ,  5E346HH07 ,  5E346HH33

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 多層回路基板および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-245656   出願人：イビデン株式会社
• 多層回路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-027816   出願人：株式会社日立製作所