炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：恩田博宣 , 恩田誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-132307
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335899
出願日： 2003年05月09日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】イオン注入法によりトレンチ側壁部に炭化珪素からなる導電層を形成する場合であれ、その導電層としての機能を適正に維持可能とする炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板1およびドリフト層2、そして第1のゲート層3、並びにソース層4からなる炭化珪素基板に、ドリフト層2に達するようなトレンチ(溝)5を形成した後、このトレンチ5の内壁面にN型のチャネル層6を形成する。その後、このチャネル層6の表面にイオン注入法によってP型の第2のゲート層7を形成する。そして、この第2のゲート層7の表面に半導体膜TFを堆積形成した後、第2のゲート電極10aおよび10bを成膜し、この第2のゲート電極に対して所要の熱処理を施すことにより炭化珪素半導体装置を製造する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

炭化珪素基板にトレンチを形成した後、イオン注入法によって少なくともトレンチ側壁に炭化珪素からなる導電層を形成する炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記形成された導電層の表面に適宜の半導体膜を堆積形成した後、電極となる金属膜を成膜し、この成膜した金属膜に対して熱処理を施すことを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L29/80 , H01L21/337 , H01L29/808

FI (2件)：

H01L29/80 V , H01L29/80 C

Fターム (8件)：

5F102GB04 , 5F102GC08 , 5F102GC09 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102HC01 , 5F102HC07 , 5F102HC16

引用特許：

審査官引用 (8件)

炭化珪素静電誘導トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-120595 出願人：富士電機株式会社
特開昭49-096578
特開昭49-098578

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