特許

J-GLOBAL ID：200903037522444592

FeRAMコンデンサの化学機械的研磨

発明者： ピーター シー.ヴァン バスカーク ,  ピーター エス.カーリン
出願人/特許権者： アドバンスド.テクノロジー.マテリアルズ.インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-522624
公開番号（公開出願番号）：特表2001-524755
出願日： 1998年11月17日
公開日（公表日）： 2001年12月04日
要約：

【要約】底部電極層(30)、強誘導体層(32)および頂部電極層(34)をベース構造上に順次に蒸着させ、所望により、該底部電極層の真下に導電性バリア材料(28)を蒸着させて、コンデンサ前駆体構造を形成し、化学機械的研磨によってコンデンサ前駆体構造を平面化して強誘導体コンデンサ構造、例えば、スタックコンデンサまたはトレンチコンデンサを得ることによる強誘導体コンデンサ構造の製法。該プロセスは電極層のドライエッチングまたは強誘導体層のドライエッチングなくして行って、例えば、0.10および0.20μmの間の非常に小さな特徴サイズを有する強誘導体コンデンサを得る。

請求項（抜粋）：

底部電極層、強誘電体相および頂部電極層を順次ベース構造上に蒸着させてコンデンサ前駆体構造を形成し、次いで、化学機械的研磨によってコンデンサ前駆体構造を平面化して該強誘電体コンデンサ構造を得ることを特徴とする強誘電体コンデンサ構造の製法。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/70 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/70 ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 21/302 J

Fターム (40件)：

5F004AA09 ,  5F004DB01 ,  5F004DB03 ,  5F004DB04 ,  5F004DB05 ,  5F004DB06 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB10 ,  5F004DB16 ,  5F004DB17 ,  5F004EA28 ,  5F004EB05 ,  5F004EB08 ,  5F083AD17 ,  5F083AD31 ,  5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083JA57 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR03 ,  5F083PR06 ,  5F083PR40

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-235352   出願人：株式会社東芝
• 半導体素子のキャパシタ製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-176748   出願人：エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド