特許
J-GLOBAL ID：200903037536294615
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-199964
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031601
出願日： 1998年07月15日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 レーザ光のファーフィールドパターンが良好で、単一モードのレーザ光が得られる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 基板10上に、n側クラッド層14とp側クラッド層19に挟まれた少なくとも活性層16を有する第1の導波層102、及びn側クラッド層14の基板10側に積層されている1層以上の窒化物半導体層からなる第2の導波層103を有し、第1の導波層102の共振面を有する端面の少なくとも一方に不透光膜30を有し共振面からの光の放出を抑え、前記共振面と平行な方向にレーザ光を放出できる出射面を第2の導波層103の端面に形成してなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
請求項（抜粋）：
基板上に、n側クラッド層とp側クラッド層に挟まれた少なくとも活性層を有する第1の導波層、及びn側クラッド層の基板側に積層されている1層以上の窒化物半導体層からなる第2の導波層を有し、第1の導波層の共振面を有する端面の少なくとも一方に不透光膜を有し共振面からの光の放出を抑え、前記共振面と平行な方向にレーザ光を放出できる出射面を第2の導波層の端面に形成してなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (11件)：
5F041CA14
, 5F041CA40
, 5F041CA91
, 5F041CB15
, 5F041CB16
, 5F073AA44
, 5F073AA47
, 5F073AA61
, 5F073AA83
, 5F073CA02
, 5F073CA17
