特許
J-GLOBAL ID：200903051961034395
窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-336694
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178239
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体ウェーハの基板を薄してもウェーハが不規則な位置で割れないような製造方法を提供することにより、放熱性に優れた窒化物半導体素子を作製して素子を長寿命にする。【構成】 絶縁性基板上に膜厚0.5μm以下のバッファ層を介して、最初に膜厚6μm以上のn型窒化物半導体層を成長させるか、あるいは総膜厚6μm以上となるように複数の窒化物半導体層を成長させるた後、ウェーハの絶縁性基板の厚さを60μm以下に調整して、ウェーハをチップにすることにより、基板の厚さが薄い窒化物半導体素子が実現できるので放熱性が向上する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に膜厚0.5μm以下のバッファ層を介して、最初に膜厚6μm以上のn型窒化物半導体層を成長させる工程と、そのn型窒化物半導体層の上に複数の窒化物半導体層を成長させたウェーハの絶縁性基板の厚さを60μm以下に調整する工程と、絶縁性基板の厚さ調整後、ウェーハをチップ状に分離する工程とを備えることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 33/00
, H01L 21/02
H01S 3/18
, H01L 33/00 C
, H01L 21/02 B
