特許

J-GLOBAL ID：200903037539167797

半導体装置、その製造方法及び製造装置

発明者： 大音 光市 ,  松井 孝幸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-185275
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009150
出願日： 2000年06月20日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置において、ダマシン法により形成したCuに凝集を生じさせない層間絶縁に関する。【解決手段】 Cu配線上にCVD法により2層以上の多層構造のCu拡散防止絶縁層を形成する。そてその際1層目の第1絶縁膜16を300°C以下の低温で成膜し、第2層目の第2絶縁膜18を350°Cから450°Cの範囲の高温で成膜することとした。これにより、Cuに凝集を生じさせず、しかもエッチングの際の保護層として機能する。

請求項（抜粋）：

ダマシン法で形成されるCu配線と該Cu配線の上層の金属配線との間に形成される層間絶縁膜が、Cu拡散防止絶縁層と他の絶縁膜の積層構造であり、前記層間絶縁膜に前記Cu配線と前記金属配線層とを接続する接続孔をドライエッチングによって開口する際、前記他の絶縁層をエッチングし、フォトレジストを除去した後前記Cu拡散防止絶縁層を除去する半導体装置において、前記Cu拡散防止絶縁層を2層以上の積層構造としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/768 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/36 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3205

FI (7件)：

C23C 16/30 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/36 ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/88 M

Fターム (50件)：

4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030BA37 ,  4K030BA40 ,  4K030BA41 ,  4K030BB12 ,  4K030BB13 ,  4K030HA04 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX00 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BE10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 銅相互接続構造および形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-097400   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• ダマシン用途の低κシリコンカーバイドバリア層、エッチストップ及び反射防止被膜のインシチュウ堆積
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-572907   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 電子装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-361143   出願人：ソニー株式会社